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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 710-960 MHz, 160 W Avg., 28 V PDF数据手册
250+:¥623.5878
库存:需询价
最小起订量:250
最小包装:250
递增量:1
-+
合计:¥155897.0
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 400-2700 MHz, 2.5 W Avg., 28 V PDF数据手册
500+:¥185.1347
库存:需询价
最小起订量:500
最小包装:500
递增量:1
-+
合计:¥92567.4
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V PDF数据手册
250+:¥669.1064
库存:需询价
最小起订量:250
最小包装:250
递增量:1
-+
合计:¥167276.6
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V PDF数据手册
1+:¥330.9847
10+:¥312.7472
25+:¥298.837
50+:¥296.1277
100+:¥276.7989
500+:¥248.9785
库存:需询价
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥331.0
SD57030-01

品牌:

封装:M250

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp PDF数据手册
50+:¥547.7277
库存:需询价
最小起订量:50
最小包装:50
递增量:1
-+
合计:¥27386.4
MRF6V12500HSR5

品牌:

封装:NI-780S

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS PDF数据手册
50+:¥4512.946
库存:需询价
最小起订量:50
最小包装:50
递增量:1
-+
合计:¥225647.3
MRF13750HSR5

品牌:

封装:NI-1230S-4S

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor 750 W CW over 700-1300 MHz, 50 V PDF数据手册
50+:¥1635.783
库存:需询价
最小起订量:50
最小包装:50
递增量:1
-+
合计:¥81789.2
MRFE8VP8600HSR5

品牌:

封装:NI-1230S-4S

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor PDF数据手册
50+:¥1252.77
库存:需询价
最小起订量:50
最小包装:50
递增量:1
-+
合计:¥62638.5
A2V07H400-04NR3

品牌:

封装:OM-780-4L

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 420-851 MHz, 107 W Avg., 48 V PDF数据手册
250+:¥736.6504
库存:需询价
最小起订量:250
最小包装:250
递增量:1
-+
合计:¥184162.6
AFM906NT1

品牌:

封装:HVSON-16

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V PDF数据手册
1+:¥21.13496
10+:¥18.33787
100+:¥15.97978
250+:¥15.17703
500+:¥13.63424
1000+:¥10.56121
库存:775
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥21.1
PD57060-E

品牌:

封装:PowerSO-10RF-Formed-4

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam PDF数据手册
1+:¥486.4928
10+:¥465.546
25+:¥461.0305
50+:¥456.0635
100+:¥422.7367
250+:¥422.5611
库存:265
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥486.5
MRFE6VP5600HR5

品牌:

封装:NI-1230

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H PDF数据手册
1+:¥1521.441
10+:¥1439.447
25+:¥1399.071
50+:¥1385.261
库存:14
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥1521.4
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V PDF数据手册
1+:¥317.5261
10+:¥295.9395
25+:¥284.9268
250+:¥283.9359
500+:¥264.9709
库存:430
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥317.5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V PDF数据手册
1+:¥1034.672
10+:¥970.4645
25+:¥941.8413
50+:¥940.5745
100+:¥919.0758
库存:38
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥1034.7
VRF151

品牌:

封装:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 FG, MOSFET, ARF, M174 PDF数据手册
1+:¥633.3463
100+:¥535.8119
库存:37
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥633.3
PD55025S-E

品牌:

封装:PowerSO-10RF-Straight-4

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor PDF数据手册
1+:¥270.3895
10+:¥247.9876
25+:¥245.2784
50+:¥234.7171
100+:¥212.6791
250+:¥202.1179
400+:¥198.5055
库存:182
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥270.4
PD55015TR-E

品牌:

封装:PowerSO-10RF-Formed-4

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST PDF数据手册
1+:¥216.6552
10+:¥164.0875
25+:¥149.0986
100+:¥149.0108
250+:¥147.2047
600+:¥122.9089
库存:590
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥216.7
PD55025-E

品牌:

封装:PowerSO-10RF-Formed-4

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch PDF数据手册
1+:¥270.4773
10+:¥249.0789
25+:¥247.9876
50+:¥198.5933
100+:¥195.6959
250+:¥194.7928
400+:¥194.0778
库存:443
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥270.5
AFT05MP075NR1

品牌:

封装:TO-270-WB-4

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4 PDF数据手册
1+:¥190.1017
10+:¥174.3853
25+:¥167.2484
50+:¥164.4513
500+:¥131.852
100+:¥147.4806
250+:¥140.2558
500+:¥131.852
库存:421
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥190.1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-2690 MHz 125 W CW 50 V PDF数据手册
1+:¥3930.901
10+:¥3830.933
25+:¥3801.407
50+:¥3797.794
库存:50
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥3930.9
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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