参考图片 | 商品 | 描述 | 价格 | 库存 | 购买数量 | 操作 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 710-960 MHz, 160 W Avg., 28 V
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库存: | 需询价 |
最小起订量: | 250 |
最小包装: | 250 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥155897.0
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 400-2700 MHz, 2.5 W Avg., 28 V
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库存: | 需询价 |
最小起订量: | 500 |
最小包装: | 500 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥92567.4
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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库存: | 需询价 |
最小起订量: | 250 |
最小包装: | 250 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥167276.6
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
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1+: | ¥330.9847 | 10+: | ¥312.7472 | 25+: | ¥298.837 | 50+: | ¥296.1277 | 100+: | ¥276.7989 | 500+: | ¥248.9785 |
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库存: | 需询价 |
最小起订量: | 1 |
最小包装: | 1 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥331.0
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
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库存: | 需询价 |
最小起订量: | 50 |
最小包装: | 50 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥27386.4
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS
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库存: | 需询价 |
最小起订量: | 50 |
最小包装: | 50 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥225647.3
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor 750 W CW over 700-1300 MHz, 50 V
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库存: | 需询价 |
最小起订量: | 50 |
最小包装: | 50 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥81789.2
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor
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库存: | 需询价 |
最小起订量: | 50 |
最小包装: | 50 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥62638.5
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 420-851 MHz, 107 W Avg., 48 V
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库存: | 需询价 |
最小起订量: | 250 |
最小包装: | 250 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥184162.6
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
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1+: | ¥21.13496 | 10+: | ¥18.33787 | 100+: | ¥15.97978 | 250+: | ¥15.17703 | 500+: | ¥13.63424 | 1000+: | ¥10.56121 |
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库存: | 775 |
最小起订量: | 1 |
最小包装: | 1 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥21.1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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1+: | ¥486.4928 | 10+: | ¥465.546 | 25+: | ¥461.0305 | 50+: | ¥456.0635 | 100+: | ¥422.7367 | 250+: | ¥422.5611 |
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库存: | 265 |
最小起订量: | 1 |
最小包装: | 1 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥486.5
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
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1+: | ¥1521.441 | 10+: | ¥1439.447 | 25+: | ¥1399.071 | 50+: | ¥1385.261 |
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库存: | 14 |
最小起订量: | 1 |
最小包装: | 1 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥1521.4
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V
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1+: | ¥317.5261 | 10+: | ¥295.9395 | 25+: | ¥284.9268 | 250+: | ¥283.9359 | 500+: | ¥264.9709 |
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库存: | 430 |
最小起订量: | 1 |
最小包装: | 1 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥317.5
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
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1+: | ¥1034.672 | 10+: | ¥970.4645 | 25+: | ¥941.8413 | 50+: | ¥940.5745 | 100+: | ¥919.0758 |
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库存: | 38 |
最小起订量: | 1 |
最小包装: | 1 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥1034.7
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 FG, MOSFET, ARF, M174
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1+: | ¥633.3463 | 100+: | ¥535.8119 |
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库存: | 37 |
最小起订量: | 1 |
最小包装: | 1 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥633.3
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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1+: | ¥270.3895 | 10+: | ¥247.9876 | 25+: | ¥245.2784 | 50+: | ¥234.7171 | 100+: | ¥212.6791 | 250+: | ¥202.1179 | 400+: | ¥198.5055 |
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库存: | 182 |
最小起订量: | 1 |
最小包装: | 1 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥270.4
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
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1+: | ¥216.6552 | 10+: | ¥164.0875 | 25+: | ¥149.0986 | 100+: | ¥149.0108 | 250+: | ¥147.2047 | 600+: | ¥122.9089 |
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库存: | 590 |
最小起订量: | 1 |
最小包装: | 1 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥216.7
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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1+: | ¥270.4773 | 10+: | ¥249.0789 | 25+: | ¥247.9876 | 50+: | ¥198.5933 | 100+: | ¥195.6959 | 250+: | ¥194.7928 | 400+: | ¥194.0778 |
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库存: | 443 |
最小起订量: | 1 |
最小包装: | 1 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥270.5
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4
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1+: | ¥190.1017 | 10+: | ¥174.3853 | 25+: | ¥167.2484 | 50+: | ¥164.4513 | 500+: | ¥131.852 | 100+: | ¥147.4806 | 250+: | ¥140.2558 | 500+: | ¥131.852 |
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库存: | 421 |
最小起订量: | 1 |
最小包装: | 1 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥190.1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-2690 MHz 125 W CW 50 V
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1+: | ¥3930.901 | 10+: | ¥3830.933 | 25+: | ¥3801.407 | 50+: | ¥3797.794 |
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库存: | 50 |
最小起订量: | 1 |
最小包装: | 1 |
递增量: | 1 |
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-+
合计:¥3930.9
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